SI4567DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
Artikelnummer
SI4567DY-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2.75W, 2.95W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
N and P-Channel
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A, 4.4A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
355pF @ 20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34961 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI4567DY-T1-GE3
SI4567DY-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI4567DY-T1-GE3 Försäljning
SI4567DY-T1-GE3 Leverantör
SI4567DY-T1-GE3 Distributör
SI4567DY-T1-GE3 Datatabell
SI4567DY-T1-GE3 Foton
SI4567DY-T1-GE3 Pris
SI4567DY-T1-GE3 Erbjudande
SI4567DY-T1-GE3 Lägsta pris
SI4567DY-T1-GE3 Sök
SI4567DY-T1-GE3 Köp av
SI4567DY-T1-GE3 Chip