SI4501BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
Artikelnummer
SI4501BDY-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
4.5W, 3.1W
Leverantörsenhetspaket
8-SOIC
FET typ
N and P-Channel, Common Drain
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V, 8V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A, 8A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
805pF @ 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24132 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI4501BDY-T1-GE3
SI4501BDY-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI4501BDY-T1-GE3 Försäljning
SI4501BDY-T1-GE3 Leverantör
SI4501BDY-T1-GE3 Distributör
SI4501BDY-T1-GE3 Datatabell
SI4501BDY-T1-GE3 Foton
SI4501BDY-T1-GE3 Pris
SI4501BDY-T1-GE3 Erbjudande
SI4501BDY-T1-GE3 Lägsta pris
SI4501BDY-T1-GE3 Sök
SI4501BDY-T1-GE3 Köp av
SI4501BDY-T1-GE3 Chip