SI4442DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
Artikelnummer
SI4442DY-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
1.6W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20955 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI4442DY-T1-GE3
SI4442DY-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI4442DY-T1-GE3 Försäljning
SI4442DY-T1-GE3 Leverantör
SI4442DY-T1-GE3 Distributör
SI4442DY-T1-GE3 Datatabell
SI4442DY-T1-GE3 Foton
SI4442DY-T1-GE3 Pris
SI4442DY-T1-GE3 Erbjudande
SI4442DY-T1-GE3 Lägsta pris
SI4442DY-T1-GE3 Sök
SI4442DY-T1-GE3 Köp av
SI4442DY-T1-GE3 Chip