SI3475DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Artikelnummer
SI3475DV-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Leverantörsenhetspaket
6-TSOP
Effektförlust (max)
2W (Ta), 3.2W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
950mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.61 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33264 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI3475DV-T1-GE3
SI3475DV-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI3475DV-T1-GE3 Försäljning
SI3475DV-T1-GE3 Leverantör
SI3475DV-T1-GE3 Distributör
SI3475DV-T1-GE3 Datatabell
SI3475DV-T1-GE3 Foton
SI3475DV-T1-GE3 Pris
SI3475DV-T1-GE3 Erbjudande
SI3475DV-T1-GE3 Lägsta pris
SI3475DV-T1-GE3 Sök
SI3475DV-T1-GE3 Köp av
SI3475DV-T1-GE3 Chip