SI3460BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Artikelnummer
SI3460BDV-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Leverantörsenhetspaket
6-TSOP
Effektförlust (max)
2W (Ta), 3.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43756 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI3460BDV-T1-E3
SI3460BDV-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI3460BDV-T1-E3 Försäljning
SI3460BDV-T1-E3 Leverantör
SI3460BDV-T1-E3 Distributör
SI3460BDV-T1-E3 Datatabell
SI3460BDV-T1-E3 Foton
SI3460BDV-T1-E3 Pris
SI3460BDV-T1-E3 Erbjudande
SI3460BDV-T1-E3 Lägsta pris
SI3460BDV-T1-E3 Sök
SI3460BDV-T1-E3 Köp av
SI3460BDV-T1-E3 Chip