SI1926DL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
Artikelnummer
SI1926DL-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Effekt - Max
510mW
Leverantörsenhetspaket
SC-70-6 (SOT-363)
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
370mA
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 340mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
18.5pF @ 30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54377 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI1926DL-T1-GE3
SI1926DL-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI1926DL-T1-GE3 Försäljning
SI1926DL-T1-GE3 Leverantör
SI1926DL-T1-GE3 Distributör
SI1926DL-T1-GE3 Datatabell
SI1926DL-T1-GE3 Foton
SI1926DL-T1-GE3 Pris
SI1926DL-T1-GE3 Erbjudande
SI1926DL-T1-GE3 Lägsta pris
SI1926DL-T1-GE3 Sök
SI1926DL-T1-GE3 Köp av
SI1926DL-T1-GE3 Chip