SI1480DH-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363
Artikelnummer
SI1480DH-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leverantörsenhetspaket
SC-70-6 (SOT-363)
Effektförlust (max)
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
130pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52231 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI1480DH-T1-GE3
SI1480DH-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI1480DH-T1-GE3 Försäljning
SI1480DH-T1-GE3 Leverantör
SI1480DH-T1-GE3 Distributör
SI1480DH-T1-GE3 Datatabell
SI1480DH-T1-GE3 Foton
SI1480DH-T1-GE3 Pris
SI1480DH-T1-GE3 Erbjudande
SI1480DH-T1-GE3 Lägsta pris
SI1480DH-T1-GE3 Sök
SI1480DH-T1-GE3 Köp av
SI1480DH-T1-GE3 Chip