SI1427EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363
Artikelnummer
SI1427EDH-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leverantörsenhetspaket
SC-70-6 (SOT-363)
Effektförlust (max)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
64 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27659 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI1427EDH-T1-GE3
SI1427EDH-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI1427EDH-T1-GE3 Försäljning
SI1427EDH-T1-GE3 Leverantör
SI1427EDH-T1-GE3 Distributör
SI1427EDH-T1-GE3 Datatabell
SI1427EDH-T1-GE3 Foton
SI1427EDH-T1-GE3 Pris
SI1427EDH-T1-GE3 Erbjudande
SI1427EDH-T1-GE3 Lägsta pris
SI1427EDH-T1-GE3 Sök
SI1427EDH-T1-GE3 Köp av
SI1427EDH-T1-GE3 Chip