SI1405BDH-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SOT363
Artikelnummer
SI1405BDH-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leverantörsenhetspaket
SC-70-6 (SOT-363)
Effektförlust (max)
1.47W (Ta), 2.27W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
8V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
305pF @ 4V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30561 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI1405BDH-T1-E3
SI1405BDH-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI1405BDH-T1-E3 Försäljning
SI1405BDH-T1-E3 Leverantör
SI1405BDH-T1-E3 Distributör
SI1405BDH-T1-E3 Datatabell
SI1405BDH-T1-E3 Foton
SI1405BDH-T1-E3 Pris
SI1405BDH-T1-E3 Erbjudande
SI1405BDH-T1-E3 Lägsta pris
SI1405BDH-T1-E3 Sök
SI1405BDH-T1-E3 Köp av
SI1405BDH-T1-E3 Chip