SI1401EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
Artikelnummer
SI1401EDH-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leverantörsenhetspaket
SC-70-6 (SOT-363)
Effektförlust (max)
1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38789 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI1401EDH-T1-GE3
SI1401EDH-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI1401EDH-T1-GE3 Försäljning
SI1401EDH-T1-GE3 Leverantör
SI1401EDH-T1-GE3 Distributör
SI1401EDH-T1-GE3 Datatabell
SI1401EDH-T1-GE3 Foton
SI1401EDH-T1-GE3 Pris
SI1401EDH-T1-GE3 Erbjudande
SI1401EDH-T1-GE3 Lägsta pris
SI1401EDH-T1-GE3 Sök
SI1401EDH-T1-GE3 Köp av
SI1401EDH-T1-GE3 Chip