IRLL110PBF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Artikelnummer
IRLL110PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223
Effektförlust (max)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 900mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15413 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLL110PBF
IRLL110PBF Elektroniska komponenter
IRLL110PBF Försäljning
IRLL110PBF Leverantör
IRLL110PBF Distributör
IRLL110PBF Datatabell
IRLL110PBF Foton
IRLL110PBF Pris
IRLL110PBF Erbjudande
IRLL110PBF Lägsta pris
IRLL110PBF Sök
IRLL110PBF Köp av
IRLL110PBF Chip