IRFUC20PBF
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
Artikelnummer
IRFUC20PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251AA
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27010 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFUC20PBF
IRFUC20PBF Elektroniska komponenter
IRFUC20PBF Försäljning
IRFUC20PBF Leverantör
IRFUC20PBF Distributör
IRFUC20PBF Datatabell
IRFUC20PBF Foton
IRFUC20PBF Pris
IRFUC20PBF Erbjudande
IRFUC20PBF Lägsta pris
IRFUC20PBF Sök
IRFUC20PBF Köp av
IRFUC20PBF Chip