IRFU430APBF
MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK
Artikelnummer
IRFU430APBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251AA
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.7 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36765 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFU430APBF
IRFU430APBF Elektroniska komponenter
IRFU430APBF Försäljning
IRFU430APBF Leverantör
IRFU430APBF Distributör
IRFU430APBF Datatabell
IRFU430APBF Foton
IRFU430APBF Pris
IRFU430APBF Erbjudande
IRFU430APBF Lägsta pris
IRFU430APBF Sök
IRFU430APBF Köp av
IRFU430APBF Chip