IRFU210PBF
MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK
Artikelnummer
IRFU210PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251AA
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44084 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFU210PBF
IRFU210PBF Elektroniska komponenter
IRFU210PBF Försäljning
IRFU210PBF Leverantör
IRFU210PBF Distributör
IRFU210PBF Datatabell
IRFU210PBF Foton
IRFU210PBF Pris
IRFU210PBF Erbjudande
IRFU210PBF Lägsta pris
IRFU210PBF Sök
IRFU210PBF Köp av
IRFU210PBF Chip