IRFU1N60APBF
MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK
Artikelnummer
IRFU1N60APBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251AA
Effektförlust (max)
36W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
229pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43119 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFU1N60APBF
IRFU1N60APBF Elektroniska komponenter
IRFU1N60APBF Försäljning
IRFU1N60APBF Leverantör
IRFU1N60APBF Distributör
IRFU1N60APBF Datatabell
IRFU1N60APBF Foton
IRFU1N60APBF Pris
IRFU1N60APBF Erbjudande
IRFU1N60APBF Lägsta pris
IRFU1N60APBF Sök
IRFU1N60APBF Köp av
IRFU1N60APBF Chip