IRFR9110PBF
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Artikelnummer
IRFR9110PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.7nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37192 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFR9110PBF
IRFR9110PBF Elektroniska komponenter
IRFR9110PBF Försäljning
IRFR9110PBF Leverantör
IRFR9110PBF Distributör
IRFR9110PBF Datatabell
IRFR9110PBF Foton
IRFR9110PBF Pris
IRFR9110PBF Erbjudande
IRFR9110PBF Lägsta pris
IRFR9110PBF Sök
IRFR9110PBF Köp av
IRFR9110PBF Chip