IRFR214PBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Artikelnummer
IRFR214PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23222 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFR214PBF
IRFR214PBF Elektroniska komponenter
IRFR214PBF Försäljning
IRFR214PBF Leverantör
IRFR214PBF Distributör
IRFR214PBF Datatabell
IRFR214PBF Foton
IRFR214PBF Pris
IRFR214PBF Erbjudande
IRFR214PBF Lägsta pris
IRFR214PBF Sök
IRFR214PBF Köp av
IRFR214PBF Chip