IRFR210PBF
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Artikelnummer
IRFR210PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44479 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFR210PBF
IRFR210PBF Elektroniska komponenter
IRFR210PBF Försäljning
IRFR210PBF Leverantör
IRFR210PBF Distributör
IRFR210PBF Datatabell
IRFR210PBF Foton
IRFR210PBF Pris
IRFR210PBF Erbjudande
IRFR210PBF Lägsta pris
IRFR210PBF Sök
IRFR210PBF Köp av
IRFR210PBF Chip