IRFR1N60APBF
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Artikelnummer
IRFR1N60APBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
36W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
229pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49792 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFR1N60APBF
IRFR1N60APBF Elektroniska komponenter
IRFR1N60APBF Försäljning
IRFR1N60APBF Leverantör
IRFR1N60APBF Distributör
IRFR1N60APBF Datatabell
IRFR1N60APBF Foton
IRFR1N60APBF Pris
IRFR1N60APBF Erbjudande
IRFR1N60APBF Lägsta pris
IRFR1N60APBF Sök
IRFR1N60APBF Köp av
IRFR1N60APBF Chip