IRFR1N60A
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
Artikelnummer
IRFR1N60A
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
36W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
229pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43061 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFR1N60A
IRFR1N60A Elektroniska komponenter
IRFR1N60A Försäljning
IRFR1N60A Leverantör
IRFR1N60A Distributör
IRFR1N60A Datatabell
IRFR1N60A Foton
IRFR1N60A Pris
IRFR1N60A Erbjudande
IRFR1N60A Lägsta pris
IRFR1N60A Sök
IRFR1N60A Köp av
IRFR1N60A Chip