IRFR120PBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Artikelnummer
IRFR120PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36000 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFR120PBF
IRFR120PBF Elektroniska komponenter
IRFR120PBF Försäljning
IRFR120PBF Leverantör
IRFR120PBF Distributör
IRFR120PBF Datatabell
IRFR120PBF Foton
IRFR120PBF Pris
IRFR120PBF Erbjudande
IRFR120PBF Lägsta pris
IRFR120PBF Sök
IRFR120PBF Köp av
IRFR120PBF Chip