IRFPG50PBF
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
Artikelnummer
IRFPG50PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22436 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFPG50PBF
IRFPG50PBF Elektroniska komponenter
IRFPG50PBF Försäljning
IRFPG50PBF Leverantör
IRFPG50PBF Distributör
IRFPG50PBF Datatabell
IRFPG50PBF Foton
IRFPG50PBF Pris
IRFPG50PBF Erbjudande
IRFPG50PBF Lägsta pris
IRFPG50PBF Sök
IRFPG50PBF Köp av
IRFPG50PBF Chip