IRFPG50
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
Artikelnummer
IRFPG50
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38391 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFPG50
IRFPG50 Elektroniska komponenter
IRFPG50 Försäljning
IRFPG50 Leverantör
IRFPG50 Distributör
IRFPG50 Datatabell
IRFPG50 Foton
IRFPG50 Pris
IRFPG50 Erbjudande
IRFPG50 Lägsta pris
IRFPG50 Sök
IRFPG50 Köp av
IRFPG50 Chip