IRFPG40PBF
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO-247AC
Artikelnummer
IRFPG40PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 2.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24964 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFPG40PBF
IRFPG40PBF Elektroniska komponenter
IRFPG40PBF Försäljning
IRFPG40PBF Leverantör
IRFPG40PBF Distributör
IRFPG40PBF Datatabell
IRFPG40PBF Foton
IRFPG40PBF Pris
IRFPG40PBF Erbjudande
IRFPG40PBF Lägsta pris
IRFPG40PBF Sök
IRFPG40PBF Köp av
IRFPG40PBF Chip