IRFPG30PBF
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
Artikelnummer
IRFPG30PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
980pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19209 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFPG30PBF
IRFPG30PBF Elektroniska komponenter
IRFPG30PBF Försäljning
IRFPG30PBF Leverantör
IRFPG30PBF Distributör
IRFPG30PBF Datatabell
IRFPG30PBF Foton
IRFPG30PBF Pris
IRFPG30PBF Erbjudande
IRFPG30PBF Lägsta pris
IRFPG30PBF Sök
IRFPG30PBF Köp av
IRFPG30PBF Chip