IRFPG30
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
Artikelnummer
IRFPG30
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
980pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37014 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFPG30
IRFPG30 Elektroniska komponenter
IRFPG30 Försäljning
IRFPG30 Leverantör
IRFPG30 Distributör
IRFPG30 Datatabell
IRFPG30 Foton
IRFPG30 Pris
IRFPG30 Erbjudande
IRFPG30 Lägsta pris
IRFPG30 Sök
IRFPG30 Köp av
IRFPG30 Chip