IRFPF50PBF
MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
Artikelnummer
IRFPF50PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.6 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38249 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFPF50PBF
IRFPF50PBF Elektroniska komponenter
IRFPF50PBF Försäljning
IRFPF50PBF Leverantör
IRFPF50PBF Distributör
IRFPF50PBF Datatabell
IRFPF50PBF Foton
IRFPF50PBF Pris
IRFPF50PBF Erbjudande
IRFPF50PBF Lägsta pris
IRFPF50PBF Sök
IRFPF50PBF Köp av
IRFPF50PBF Chip