IRFPF50
MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
Artikelnummer
IRFPF50
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.6 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17121 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFPF50
IRFPF50 Elektroniska komponenter
IRFPF50 Försäljning
IRFPF50 Leverantör
IRFPF50 Distributör
IRFPF50 Datatabell
IRFPF50 Foton
IRFPF50 Pris
IRFPF50 Erbjudande
IRFPF50 Lägsta pris
IRFPF50 Sök
IRFPF50 Köp av
IRFPF50 Chip