IRFPE50PBF
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
Artikelnummer
IRFPE50PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10450 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFPE50PBF
IRFPE50PBF Elektroniska komponenter
IRFPE50PBF Försäljning
IRFPE50PBF Leverantör
IRFPE50PBF Distributör
IRFPE50PBF Datatabell
IRFPE50PBF Foton
IRFPE50PBF Pris
IRFPE50PBF Erbjudande
IRFPE50PBF Lägsta pris
IRFPE50PBF Sök
IRFPE50PBF Köp av
IRFPE50PBF Chip