IRFPE50
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
Artikelnummer
IRFPE50
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12218 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFPE50
IRFPE50 Elektroniska komponenter
IRFPE50 Försäljning
IRFPE50 Leverantör
IRFPE50 Distributör
IRFPE50 Datatabell
IRFPE50 Foton
IRFPE50 Pris
IRFPE50 Erbjudande
IRFPE50 Lägsta pris
IRFPE50 Sök
IRFPE50 Köp av
IRFPE50 Chip