IRFPE40PBF
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO-247AC
Artikelnummer
IRFPE40PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34001 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFPE40PBF
IRFPE40PBF Elektroniska komponenter
IRFPE40PBF Försäljning
IRFPE40PBF Leverantör
IRFPE40PBF Distributör
IRFPE40PBF Datatabell
IRFPE40PBF Foton
IRFPE40PBF Pris
IRFPE40PBF Erbjudande
IRFPE40PBF Lägsta pris
IRFPE40PBF Sök
IRFPE40PBF Köp av
IRFPE40PBF Chip