IRFPE30
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
Artikelnummer
IRFPE30
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42772 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFPE30
IRFPE30 Elektroniska komponenter
IRFPE30 Försäljning
IRFPE30 Leverantör
IRFPE30 Distributör
IRFPE30 Datatabell
IRFPE30 Foton
IRFPE30 Pris
IRFPE30 Erbjudande
IRFPE30 Lägsta pris
IRFPE30 Sök
IRFPE30 Köp av
IRFPE30 Chip