IRFPC50PBF
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
Artikelnummer
IRFPC50PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
180W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42372 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFPC50PBF
IRFPC50PBF Elektroniska komponenter
IRFPC50PBF Försäljning
IRFPC50PBF Leverantör
IRFPC50PBF Distributör
IRFPC50PBF Datatabell
IRFPC50PBF Foton
IRFPC50PBF Pris
IRFPC50PBF Erbjudande
IRFPC50PBF Lägsta pris
IRFPC50PBF Sök
IRFPC50PBF Köp av
IRFPC50PBF Chip