IRFIBF30G
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Artikelnummer
IRFIBF30G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
35W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.7 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14569 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFIBF30G
IRFIBF30G Elektroniska komponenter
IRFIBF30G Försäljning
IRFIBF30G Leverantör
IRFIBF30G Distributör
IRFIBF30G Datatabell
IRFIBF30G Foton
IRFIBF30G Pris
IRFIBF30G Erbjudande
IRFIBF30G Lägsta pris
IRFIBF30G Sök
IRFIBF30G Köp av
IRFIBF30G Chip