IRFIBE30G
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
Artikelnummer
IRFIBE30G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
35W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51610 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFIBE30G
IRFIBE30G Elektroniska komponenter
IRFIBE30G Försäljning
IRFIBE30G Leverantör
IRFIBE30G Distributör
IRFIBE30G Datatabell
IRFIBE30G Foton
IRFIBE30G Pris
IRFIBE30G Erbjudande
IRFIBE30G Lägsta pris
IRFIBE30G Sök
IRFIBE30G Köp av
IRFIBE30G Chip