IRFIBE20G
MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP
Artikelnummer
IRFIBE20G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
30W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35291 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFIBE20G
IRFIBE20G Elektroniska komponenter
IRFIBE20G Försäljning
IRFIBE20G Leverantör
IRFIBE20G Distributör
IRFIBE20G Datatabell
IRFIBE20G Foton
IRFIBE20G Pris
IRFIBE20G Erbjudande
IRFIBE20G Lägsta pris
IRFIBE20G Sök
IRFIBE20G Köp av
IRFIBE20G Chip