IRFIB8N50K
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
Artikelnummer
IRFIB8N50K
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
45W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
89nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2160pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38501 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFIB8N50K
IRFIB8N50K Elektroniska komponenter
IRFIB8N50K Försäljning
IRFIB8N50K Leverantör
IRFIB8N50K Distributör
IRFIB8N50K Datatabell
IRFIB8N50K Foton
IRFIB8N50K Pris
IRFIB8N50K Erbjudande
IRFIB8N50K Lägsta pris
IRFIB8N50K Sök
IRFIB8N50K Köp av
IRFIB8N50K Chip