IRFIB7N50APBF
MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
Artikelnummer
IRFIB7N50APBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
60W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
520 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1423pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42349 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFIB7N50APBF
IRFIB7N50APBF Elektroniska komponenter
IRFIB7N50APBF Försäljning
IRFIB7N50APBF Leverantör
IRFIB7N50APBF Distributör
IRFIB7N50APBF Datatabell
IRFIB7N50APBF Foton
IRFIB7N50APBF Pris
IRFIB7N50APBF Erbjudande
IRFIB7N50APBF Lägsta pris
IRFIB7N50APBF Sök
IRFIB7N50APBF Köp av
IRFIB7N50APBF Chip