IRFIB6N60APBF
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
Artikelnummer
IRFIB6N60APBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
60W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22348 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFIB6N60APBF
IRFIB6N60APBF Elektroniska komponenter
IRFIB6N60APBF Försäljning
IRFIB6N60APBF Leverantör
IRFIB6N60APBF Distributör
IRFIB6N60APBF Datatabell
IRFIB6N60APBF Foton
IRFIB6N60APBF Pris
IRFIB6N60APBF Erbjudande
IRFIB6N60APBF Lägsta pris
IRFIB6N60APBF Sök
IRFIB6N60APBF Köp av
IRFIB6N60APBF Chip