IRFI640G
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP
Artikelnummer
IRFI640G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
40W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34444 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFI640G
IRFI640G Elektroniska komponenter
IRFI640G Försäljning
IRFI640G Leverantör
IRFI640G Distributör
IRFI640G Datatabell
IRFI640G Foton
IRFI640G Pris
IRFI640G Erbjudande
IRFI640G Lägsta pris
IRFI640G Sök
IRFI640G Köp av
IRFI640G Chip