IRFBG30PBF
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
Artikelnummer
IRFBG30PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
980pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10124 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBG30PBF
IRFBG30PBF Elektroniska komponenter
IRFBG30PBF Försäljning
IRFBG30PBF Leverantör
IRFBG30PBF Distributör
IRFBG30PBF Datatabell
IRFBG30PBF Foton
IRFBG30PBF Pris
IRFBG30PBF Erbjudande
IRFBG30PBF Lägsta pris
IRFBG30PBF Sök
IRFBG30PBF Köp av
IRFBG30PBF Chip