IRFBG30
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
Artikelnummer
IRFBG30
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
980pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47234 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBG30
IRFBG30 Elektroniska komponenter
IRFBG30 Försäljning
IRFBG30 Leverantör
IRFBG30 Distributör
IRFBG30 Datatabell
IRFBG30 Foton
IRFBG30 Pris
IRFBG30 Erbjudande
IRFBG30 Lägsta pris
IRFBG30 Sök
IRFBG30 Köp av
IRFBG30 Chip