Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRFBG20L
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262
Artikelnummer
IRFBG20L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6501 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBG20L
IRFBG20L Elektroniska komponenter
IRFBG20L Försäljning
IRFBG20L Leverantör
IRFBG20L Distributör
IRFBG20L Datatabell
IRFBG20L Foton
IRFBG20L Pris
IRFBG20L Erbjudande
IRFBG20L Lägsta pris
IRFBG20L Sök
IRFBG20L Köp av
IRFBG20L Chip