IRFBG20
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
Artikelnummer
IRFBG20
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
54W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17605 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBG20
IRFBG20 Elektroniska komponenter
IRFBG20 Försäljning
IRFBG20 Leverantör
IRFBG20 Distributör
IRFBG20 Datatabell
IRFBG20 Foton
IRFBG20 Pris
IRFBG20 Erbjudande
IRFBG20 Lägsta pris
IRFBG20 Sök
IRFBG20 Köp av
IRFBG20 Chip