IRFBF30SPBF
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Artikelnummer
IRFBF30SPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.7 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11691 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBF30SPBF
IRFBF30SPBF Elektroniska komponenter
IRFBF30SPBF Försäljning
IRFBF30SPBF Leverantör
IRFBF30SPBF Distributör
IRFBF30SPBF Datatabell
IRFBF30SPBF Foton
IRFBF30SPBF Pris
IRFBF30SPBF Erbjudande
IRFBF30SPBF Lägsta pris
IRFBF30SPBF Sök
IRFBF30SPBF Köp av
IRFBF30SPBF Chip