IRFBF30S
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Artikelnummer
IRFBF30S
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.7 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14985 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBF30S
IRFBF30S Elektroniska komponenter
IRFBF30S Försäljning
IRFBF30S Leverantör
IRFBF30S Distributör
IRFBF30S Datatabell
IRFBF30S Foton
IRFBF30S Pris
IRFBF30S Erbjudande
IRFBF30S Lägsta pris
IRFBF30S Sök
IRFBF30S Köp av
IRFBF30S Chip