IRFBF30PBF
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
Artikelnummer
IRFBF30PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.7 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44502 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBF30PBF
IRFBF30PBF Elektroniska komponenter
IRFBF30PBF Försäljning
IRFBF30PBF Leverantör
IRFBF30PBF Distributör
IRFBF30PBF Datatabell
IRFBF30PBF Foton
IRFBF30PBF Pris
IRFBF30PBF Erbjudande
IRFBF30PBF Lägsta pris
IRFBF30PBF Sök
IRFBF30PBF Köp av
IRFBF30PBF Chip