IRFBF20PBF
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
Artikelnummer
IRFBF20PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
54W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34411 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBF20PBF
IRFBF20PBF Elektroniska komponenter
IRFBF20PBF Försäljning
IRFBF20PBF Leverantör
IRFBF20PBF Distributör
IRFBF20PBF Datatabell
IRFBF20PBF Foton
IRFBF20PBF Pris
IRFBF20PBF Erbjudande
IRFBF20PBF Lägsta pris
IRFBF20PBF Sök
IRFBF20PBF Köp av
IRFBF20PBF Chip