IRFBF20LPBF
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
Artikelnummer
IRFBF20LPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
I2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32839 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBF20LPBF
IRFBF20LPBF Elektroniska komponenter
IRFBF20LPBF Försäljning
IRFBF20LPBF Leverantör
IRFBF20LPBF Distributör
IRFBF20LPBF Datatabell
IRFBF20LPBF Foton
IRFBF20LPBF Pris
IRFBF20LPBF Erbjudande
IRFBF20LPBF Lägsta pris
IRFBF20LPBF Sök
IRFBF20LPBF Köp av
IRFBF20LPBF Chip