IRFBE30STRR
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Artikelnummer
IRFBE30STRR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43273 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBE30STRR
IRFBE30STRR Elektroniska komponenter
IRFBE30STRR Försäljning
IRFBE30STRR Leverantör
IRFBE30STRR Distributör
IRFBE30STRR Datatabell
IRFBE30STRR Foton
IRFBE30STRR Pris
IRFBE30STRR Erbjudande
IRFBE30STRR Lägsta pris
IRFBE30STRR Sök
IRFBE30STRR Köp av
IRFBE30STRR Chip